Intel bouwt Chinese fabriek om voor productie 3D NAND

20 reacties

Intel gaat voor 5,5 miljard dollar de Chinese fabriek 68 ombouwen ten behoeve van de productie van 3D NAND. Intel en Micron kondigden hun tegenhanger voor onder andere Samsungs 3D V-NAND eind maart aan, waarbij massaproductie in het laatste kwartaal van dit jaar werd beloofd. De eerste producten op basis van het flashgeheugen komen volgend jaar op de markt.

De fabriek in het Chinese Dalian was sinds 2010 in bedrijf voor de productie van chips op een 65nm-procedé. De grote verbouwing moet in de tweede helft van 2016 klaar zijn, waarna de productie van 3D NAND ook in die fabriek op gang komt. Intel en Micron, die samenwerken op het gebied van flashproductie in hun joint-venture IMFT, werken daarnaast aan de productie van 3D XPoint, een revolutionaire geheugentechnologie die de voordelen van RAM en NAND moet combineren.

Marktleider Samsung loopt op dit moment mijlenver voor op zijn concurrentie en is begin volgend jaar al toe aan zijn derde generatie 3D V-NAND, waarbij elk die 256 gigabit (32 GB) opslagcapaciteit telt dankzij de 48 lagen geheugencellen. Intel en Micron zitten op 384 Gb wat TLC-geheugen betreft, maar komt dus pas volgend jaar op de markt. Dan beginnen SanDisk en Toshiba ook gezamenlijk met de productie van 3D NAND met 48 lagen, maar die chips hebben een capaciteit van 'maar' 256 gigabit.

Deze Intel-fabriek wordt geheel vrijgemaakt voor de productie van 3D NAND.

Bron: Intel

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*