Intel en Samsung beschrijven MRAM-technologie voor embedded toepassingen, MRAM wordt steeds interessanter

Door , bron: EETimes


Intel en Samsung beschreven vorige week op het International Electron Devices Meeting, kortweg IEDM, de ontwikkelingen op het gebied van mram.

Zo zou Intel de technologie genaamd spin-transfer-torque-mram (stt-mram) baseren op zijn 22 nanometer grote finfet low power-procedé. Het geheugen zou 'klaar voor productie zijn', en meerdere bronnen schijnen te zeggen dat het geheugen al in meerdere producten wordt gebruikt die nu verkocht zullen worden. Bij HardOCP gaat het gerucht dat dit om producten gaat die op 14 nanometer worden gefabriceerd. Samsung bouwt tegelijkertijd aan hetzelfde type geheugen, maar dan op een 28nm-procedé dat gebruik maakt van fd-soi.

Stt-mram wordt gezien als het type mram met de beste schaalbaarheid meest optimale grootte en 'magnetische schaalbaarheid'. Mram-geheugen is al sinds de jaren '90 in ontwikkeling, maar tot nu toe was het moeilijk om het ook daadwerkelijk op grote schaal te produceren. Er zou gebruik gemaakt moeten worden van nieuwe materialen, wat flink wat ontwikkelingsgeld kost. Globalfoundries zou er sinds vorig jaar mee in de weer zijn, maar analist Jim Handy van Objective Analysis is hij zich niet bewust van commercieel beschikbare producten met het geheugen van de foundry.

Mram moet flashgeheugen en sram kunnen vervangen in embedded toepassingen door zijn snelle lees- en schrijfsnelheden, levensduur en het vermogen om data vast te houden als het geheugen niet meer onder stroom staat (het is een non-volatiel type geheugen). Denk daarbij aan Internet of Things-apparaten, die vaak niet zoveel geheugen nodig hebben. Het geheugen begint steeds interessanter te worden, want sram wordt niet veel kleiner, terwijl mram steeds goedkoper wordt om te produceren.

Intel claimt dat zijn mram zo'n tien jaar achter elkaar opgeslagen data kan vasthouden bij 200 graden Celsius. Het zou ook meer dan tien miljoen 'aan-uit-cycli' aan moeten kunnen, waarbij wordt gewisseld tussen het opslaan van een 0 en een 1. Er zou gebruik zijn gemaakt van een chip van 216 bij 225 mm. Samsung geeft zijn variant, een chip van 8 Mbit, een levensduur van tien miljoen cycli en een retentietijd van zo'n tien jaar.


Vandaag in het nieuws

Hardware.Info maakt gebruik van cookies.
*