Samsung maakt met amorf boornitride isolatiemateriaal voor interconnects

4 reacties

Samsung heeft samen met de Universiteit van Cambridge, de Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) en de Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology aan een ontwikkeling op materiaalkundig vlak gewerkt, dat in de toekomst mogelijk in chips als isolatiemateriaal gebruikt kan gaan worden.

Onderzoekers van het Samsung Advanced Institute of Technology, kortweg SAIT, hebben een materiaal weten toe te passen voor gebruik in productieprocessen genaamd amorf boornitride. Het onderzoeksinstituut heeft eerder gezocht naar tweedimensionale kristallijne materialen die gebruikt kunnen worden als (of in) halfgeleiders. Het materiaal maakt gebruik van dit onderzoek, in de vorm van een materiaal genaamd 'wit grafeen'. Dit materiaal maakt — in tegenstelling tot gewoon grafeen — niet gebruik van koolstof, maar van boornitride. Het maakt gebruik van boor- en stikstofatomen die een zeshoekige structuur vormen. Amorf boornitride blijkt echter niet gebruik te maken van bijvoorbeeld meerdere lagen van wit grafeen, maar van een minder gestructureerde variant van de stof.

Volgens de wetenschappers is het diëlektrische constante 1,78. Dat is erg laag ten opzichte van de 11,68 van silicium. Daarnaast heeft het ook 'sterke mechanische eigenschappen', welke mechanische eigenschappen dit zijn is niet duidelijk. Het blijkt uitstekend geschikt te zijn om in te zetten als elektrisch isolerend materiaal voor interconnects, om elektrische interferentie te minimaliseren.

Samsung heeft gedemonstreerd dat het materiaal kan 'groeien' op wafer-schaal op een relatief lage temperatuur van 400 graden Celsius. Daarom verwacht het dat het breed ingezet kan worden voor de productie van dram- en nandgeheugen, blijkbaar is dit tweedimensionaal materiaal minder moeilijk om in bruikbare vorm massaal te produceren als grafeen. Bovendien moet a-BN de problemen die nu bij het verkleinen van silicium-productieprocessen beginnen te ontstaan verhelpen. Hoe klein dergelijke a-BN-nodes kunnen worden is nog niet duidelijk.

Het is ook mogelijk om volledig af te stappen van de elektron en bijvoorbeeld over te gaan op de (onder veel omstandigheden) véél efficiëntere foton, hoewel dit lastig is om te bereiken in een wereld waarin elk elektrisch apparaat is gemaakt om om te gaan met — je raadt het al — elektronen. Welke techniek de overhand zal krijgen zal de toekomst uit moeten wijzen. Samsung heeft niet zijn verwachtingen voor een mogelijke beschikbaarheid van de techniek uitgesproken. Het onderzoek is gepubliceerd in het wetenschappelijke blad Nature.

Bronnen: Samsung, Nature

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*