UltraRAM komt dichterbij: Lange termijnopslag zo snel als DRAM

20 reacties

Verschillende merken werken aan technologieën die de snelheid van geheugen moeten combineren met de opslagtermijn van flash. Onderzoekers van de Universiteit van Lancaster in het VK hebben nu een doorbraak gevonden, waardoor deze techniek dichterbij komt. UltraRAM is al enkele jaren in ontwikkeling en is bijna gereed voor massaproductie, met mogelijke beschikbaarheid in enkele jaren.

In de paper "ULTRARAM: A Low-Energy, High-Endurance, Compound-Semiconductor Memory on Silicon" wordt de technologie omschreven als non-volatiel zoals flash-opslag en de snelheid, efficiëntie en duurzaamheid van ram. Er wordt hiervoor gebruik gemaakt van dezelfde halfgeleidercompound als doorgaans in led's, lasers en infraroodsensors gebruikt worden. Silicium-gebaseerd UltraRAM is in tests sneller gebleken dan de vorige iteratie met gallium-arsenide.

De opgeslagen data moet minimaal duizend jaar bewaard blijven, terwijl er toch lage omzettijden voor de bits behaald kunnen worden. Het aantal keren dat de data gewist en overschreven kan worden zou honderd tot duizend keer hoger zijn dan voor traditioneel flash-geheugen. Daarmee moet UltraRAM geschikt zijn voor allerlei computers, van pc's tot smartphones. In-memory processing waarbij bepaalde taken intern uitgevoerd worden om de processor te ontlasten behoort ook tot de mogelijkheden. Onder andere Samsung wil hier sterk op inzetten.

Op dit moment wordt gewerkt aan de kwaliteit, schaalbaarheid en het productieproces voor UltraRAM zodat de kosten voor massaproductie relatief laag gehouden kunnen worden. Als dit product naar de markt komt zal de prijs namelijk een belangrijke factor zijn in het succes. De prijzen zullen hoger zijn dan die van klassieke geheugenchips, net zoals Intel's persistent memory flinke prijskaartjes met zich mee brengt.

Naast Intel's Optane werken ook Kioxia en Samsung aan soortgelijke producten die geheugen en opslag in één moeten zijn. Intel heeft begin 2021 de Optane-lijn voor consumenten weer stopgezet, het snelle 3D X-Point is dus enkel nog voor de servermarkt verkrijgbaar.


Een slide van Intel over hun visie op persistent memory.

Vanaf 2014 word gewerkt aan resistive random access memory en spin-transfer torque magnetoresistive ram. Hiervan werd voorspeld dat het uiteindelijk flashgeheugen en dram uit de markt zou verdrijven. Dat dit nog niet gebeurd is laat zien hoe groot de uitdagingen zijn waar de ontwikkelaars van UltraRAM mee te maken gaan krijgen. JEDEC, de organisatie die de ddr-geheugenstandaarden ontwikkelt, heeft in 2021 de eerste officiële standaard voor non-volatiel geheugen gepubliceerd. Dit wijst er op dat de organisatie verwacht dat nv-ram in de toekomst wel voet aan de grond zal krijgen.

Bron: Tom's Hardware

« Vorig bericht Volgend bericht »
0